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COMPANY PROFILE / 企業紹介
企業紹介|酸化ガリウム(α-Ga2O3)のパワー半導体(GaO® ダイオード・MOSFET)・ミストドライ® 成膜・成膜ソリューション
株式会社FLOSFIA
京都大学発のミストドライ® 法で、酸化ガリウムのパワー半導体と成膜の受託・共同開発を行う、京都市西京区の会社
公式サイトなどの公開情報をもとに編集部が作成 情報の確認日:2026年11月7日



OVERVIEW
FLOSFIAとは
京都大学発のミストドライ® 法で、酸化ガリウムのパワー半導体と成膜の受託・共同開発を行う、京都市西京区の会社
FLOSFIA(フロスフィア)は、京都市西京区に本社を置く、京都大学発のベンチャーです。2011年に ROCA 株式会社として設立され、2012年に事業を半導体に変えて、2014年に商号を FLOSFIA にしました。コランダム構造(α型)の酸化ガリウムでパワー半導体をつくる「パワーデバイス事業」と、独自の成膜技術で成膜の受託・共同開発を行う「成膜ソリューション事業」を行っています。
成膜技術の「ミストドライ® 法」は、霧(ミスト)状にした溶液を使い、酸化膜・金属膜・有機膜を大気圧で成膜する技術です。酸化ガリウムのエピタキシャル膜は、6インチのサファイア基板で膜厚の面内ばらつき約±3%を達成したとしています(2026年10月)。同社は、SiC を超える低損失をシリコン並みの低コストで実現することを目指しています。

こんな相談に向いています

既存の6インチの量産ラインで、酸化ガリウムのウェハを使いたい
6インチのサファイア基板上に酸化ガリウムのエピタキシャル膜を成膜し、膜厚の面内ばらつき約±3%を達成したとしている。

高い電圧の回路で、ダイオードの損失を減らしたい
アンペア級・1700V 耐圧の酸化ガリウム SBDの事例があります 実績を見る ↓

モジュールの中で、過熱した素子だけを切り離したい
三洋化成と、温度ヒューズ入りのパワーモジュールの事例があります 実績を見る ↓

フィルタの細孔の大きさを、成膜でそろえたい
ミストドライ® 法で、陽極酸化処理したアルミニウムの細孔を小さくした例を公開している。
出典:会社概要|FLOSFIA、事業紹介|FLOSFIA、技術紹介|FLOSFIA、6インチサファイア基板上での酸化ガリウムエピタキシャル成膜に成功(2026/10/13)
SERVICES
技術・サービス
FLOSFIA の公式サイトは、事業を「パワーデバイス事業」と「成膜ソリューション事業」に分け、「製品サービス」のページにダイオード・サーミスタ・成膜標準サンプル・受託成膜を並べています。ここでは、製造業の設計・開発の方に関係の深い6つを並べました。






CASES
実績(公開されている事例)
FLOSFIAが公式サイトで公開している事例から、編集部が9件を選びました。詳しい内容は各事例のページでご覧ください。

6インチのサファイア基板に、酸化ガリウムを成膜
6インチ(150mm)のサファイア基板上で、酸化ガリウムのエピタキシャル膜の膜厚の面内ばらつき約±3%を達成した。既存の6インチの量産ラインを使えるとしている。

4インチのウェハ製造技術と、SBD の信頼性の対策
4インチのウェハ製造技術の実証を完了した。耐圧600V・10A クラスの SBD で、対策前に比べて逆方向のリーク電流を1/1000以下に低減したとしている。

p 層を使った MOSFET で、10A 超の動作
耐圧600V 級のトレンチゲート型 MOSFET で、ノーマリーオフ特性のまま、ドレイン電流 14.3A(ゲート電圧 15V)の動作を実証したとしている。

アンペア級・1700V 耐圧の酸化ガリウム SBD
ミストドライ® 法で作った高品質な膜で、アンペア級・1700V 耐圧の縦型 SBD の開発に成功したとしている。

JSR と、p 型半導体の成膜材料を共同開発
酸化イリジウムガリウムの成膜に使う新しいイリジウム系の材料を開発した。結晶成長の速さは従来比で10倍以上、トレンチ内部への被覆も向上したとしている。

三洋化成と、温度ヒューズ入りのパワーモジュール
基板埋込のパワーモジュールに、三洋化成のヒューズエレメントでつくったマイクロ温度ヒューズを埋め込んだ。過熱した素子だけを切り離す Fail Operation の設計を簡単にできるとしている。

金型レスの、超小型・薄型パワーモジュール
プリント基板にパワーデバイスを埋め込み、金型を使わないパワーモジュールの開発を完了した。従来型のモジュールに比べて体積は1/100以下としている。

オン抵抗 0.1mΩcm² の SBD を試作
オン抵抗 0.1mΩcm² の SBD の試作に成功し、販売されている最新の SiC 製 SBD(0.7mΩcm²)より86%低いとしている。耐圧は531V と855V(同社調べ)。
国連 WIPO「2026 WIPO Global Awards」環境部門で受賞
126か国から1,300件超の応募があり、33社のファイナリストから選ばれた11社の1社になった。知財を活用して技術の普及と事業化を進める取り組みが評価されたとしている(2026年7月)。
出典:FLOSFIAの公式サイトの事例ページ(各カードのリンク先)。写真は各ページから引用しています。
FACILITIES & RESULTS
設備と主な数字
ここに並べた9件は、公式サイトのニュース(成膜・デバイスの成果、共同開発、受賞)と、事業紹介のページから選びました(2026-11-07 時点)。導入先の名前が載った導入事例ではなく、同社が発表した開発の成果を紹介しています。
同社は、2026年度以降の本格量産開始を計画し、京都大学近郊のマザー工場で月産100万個規模の量産技術基盤の整備を進めているとしています(2025年7月の発表)。2024年12月には、2024年中に予定していた量産開始の計画を見直すと発表しました(信頼性の評価をクリアするための時間が必要なため)。その後、2025年12月に、4インチのウェハ製造技術の実証完了と SBD の信頼性の課題の克服を発表しています。
| 設備 | 主な仕様・用途 |
|---|---|
| 本社・製造・研究開発拠点 | 京都府京都市西京区御陵大原1番29号。桂イノベーションパーク前バス停から徒歩1分(公式サイトのアクセスによる) |
| マザー工場 | 京都大学近郊。月産100万個規模の量産技術基盤の整備を進め、2026年度以降の本格量産開始を計画(2025年7月の発表) |
| ミストドライ® 装置 | 1枚からのテスト成膜、受託成膜、共同開発に使う。量産装置の製造・販売も行う |
上の数字の帯:2011年 設立/42億円 資本金等(資本準備金等を含む。2025年4月1日現在)/250件超 成膜のプロセスと膜に関する特許出願(海外出願を含む)/6インチ 酸化ガリウムのエピタキシャル成膜(面内ばらつき約±3%、2026年10月)
出典:ニュース|FLOSFIA、事業紹介|FLOSFIA、パワーデバイス事業|FLOSFIA、酸化ガリウムパワー半導体の最大の壁「p層」を克服(2025/7)、酸化ガリウムパワー半導体の量産化技術を大きく前進(2025/12)
COMPANY
会社概要
| 会社名 | 株式会社FLOSFIA(フロスフィア)/FLOSFIA INC. |
|---|---|
| 設立 | 2011年3月31日 |
| 資本金 | 42億850万円(資本準備金等を含む。2025年4月1日現在) |
| 代表取締役社長 | 天田 健嗣 |
| 事業内容 | パワーデバイス事業(GaO® パワーデバイス)、成膜ソリューション事業(ミストドライ® 法) |
| 本社・製造・研究開発拠点 | 京都府京都市西京区御陵大原1番29号 |
| TEL | 075-963-5202 |
| 住所 | 京都府京都市西京区御陵大原1番29号(本社・製造・研究開発拠点) |
| 分野 | パワー半導体(酸化ガリウム)・薄膜の成膜 |
出典:会社概要|FLOSFIA、代表取締役社長交代のお知らせ(2026年9月16日)、事業紹介|FLOSFIA、お問い合わせ|FLOSFIA
ON THIS SITE
こんな課題で紹介しています
ものづくり技術百科では、次の記事でFLOSFIAを紹介しています。記事の中の企業紹介に詳しい説明があります。
- 電源の変換効率を上げたい →酸化ガリウムのパワー半導体で、変換の損失を減らす
- SiC・GaN のパワー半導体 →酸化ガリウムの「GaO パワーデバイス」
BEFORE CONTACT
問い合わせる前に整理しておくこと
ダイオードのサンプルや成膜の相談、共同研究は、公式サイトのお問い合わせフォームで受け付けています。内容を確認したうえで、同社から返答のメールが届きます。内容によっては電話で対応する場合があり、回答まで時間がかかる場合があるとしています。フォームには、ファイルの添付欄はありません。電話の受付時間は、公式サイトに書かれていません。
- 知りたいもの(ダイオード・MOSFET のサンプル、成膜、共同開発)と、ご利用になりたい用途
- パワー半導体なら、必要な耐圧・電流・オン抵抗と、使うパッケージ(TO-220 など)
- 成膜なら、膜の種類(酸化物・金属・有機)、基材(ウエハ・フィルム・粉体・金属)と形状・膜厚・品質
- 試作・1枚からのテスト成膜か、量産の検討か。希望する時期
- ライセンス提供・エピタキシャルウェハの供給など、協業の形(公式サイトで案内している連携の形)
CONTACT
FLOSFIAに問い合わせる
お問い合わせフォームから、FLOSFIA について、提供しているソリューション・商品、共同研究などの相談ができます。
電話:075-963-5202
ボタンを押すとFLOSFIAの公式サイトのお問い合わせフォームが開きます。ものづくり技術百科は問い合わせの内容を受け取りません。
SAME PROCESS
同じ「製品・デバイス」の、ほかの会社の実績
DISCOVER
ちがう分野の、すごいもの
各社のエースモデルから、ほかの分野のものを選んでいます。開くたびに入れ替わります。
このページは、FLOSFIAの公式サイトなどの公開情報をもとに、ものづくり技術百科の編集部が作成した紹介ページです。内容の誤り・修正のご連絡は、お問い合わせからお送りください。
情報の確認日:2026年11月7日









